GaN-on-SiC HEMT Hi-Rel для импульсных радаров S-диапазона
17.08.2018115

Компания Microsemi, в последнее время активно расширяющая портфель решений на основе карбидо-кремниевой технологии, готовится к началу выпуска транзисторов повышенной надежности мощностью 120 Вт для применения в метеорологических и корабельных радарах S-диапазона.

GaN-on-SiC HEMT Hi-Rel

Нитрид-галиевые на подложке из карбида кремния транзисторы с высокой подвижностью электронов (GaN-on-SiC HEMT) серии 2731GN-120V разработаны для применения в схемах импульсных радаров S-диапазона на частотах 2.7-3.1 ГГц. Компоненты выполнены по схеме включения с общим истоком. Использование подложки из карбида кремния вместо традиционного кремния значительно улучшает характеристики теплоотвода, благодаря чему увеличивается допустимая мощность компонента.

Новые транзисторы 2731GN-120V предназначены для работы в усилителях класса AB и обеспечивают усиление более 15.7 дБ, уровень импульсной радиочастотной выходной мощности 120 Вт для сигнала с шириной импульса 200 мкс и 10% коэффициентом заполнения во всей полосе частот в диапазоне от 2.7 до 3.1 ГГц. Компоненты будут выпускаться в герметичных корпусах форм-фактора 55-QP с применением металлизации золотом и предназначены для пайки эвтектическими сплавами. Основное назначение — применение в схемах импульсных радаров S-диапазона.

GaN-on-SiC HEMT Hi-Rel

В настоящее время 2731GN-120V пока не доступны для заказа, хотя компонент был анонсирован еще в прошлом году. В то же время, производитель поставляет коммерческими партиями для данного диапазона GaN-on-SiC HEMT на 280 Вт (для диапазонов 2.7-3.1 и 3.1-3.5 ГГц) и инженерные образцы номиналом мощности 400 Вт (для диапазонов 2.7-3.1 и 3.1-3.5 ГГц) и 500 Вт (для диапазона 2.9-3.1 ГГц).

Данные частоты широко используются для корабельных и метеорадаров, в частности, для систем раннего оповещения о стихийных бедствиях, а также для систем управления воздушным движением и для передачи телеметрической информации ракетами-носителями. Подобно ранее разработанным сериям 2731GN-120V подпадает в категорию EAR-99 по экспортному регулированию.

Технические характеристики транзисторов 2731-120V:

  • Выходная мощность: 120 Вт;
  • Максимальная мощность рассеяния при температуре +25°C: 240 Вт;
  • Максимальное напряжение исток-сток: 125 В;
  • Максимальное напряжение затвор-исток: -8…+0 В;
  • Диапазон температур хранения: от -55°С до +125°C;
  • Рабочая температура перехода: до +250°C.

vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам новейших компонентов и систем обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS — профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.

Спецификации

Топологии

GaN-on-SiC HEMT Hi-Rel