Новая микросхема FRAM 8 Мб
11.07.2018207

Компания Fujitsu объявила о начале серийного производства микросхем энергонезависимой сегнетоэлектрической оперативной памяти (FRAM) объемом 8 Мб в корпусе FBGA-48.

микросхема FRAM

Технология FRAM (или FeRAM, Ferromagnetic Random Access non-volatile Memory) является одной из наиболее перспективных альтернатив энергозависимым DRAM и SRAM и энергонезависимым EEPROM и Flash. Технология сочетает преимущества первых в быстродействии и вторых в энергонезависимости.

Принцип работы FRAM основан на эффекте гистерезиса в сегнетоэлектрике. Изменение поляризации ячейки памяти FRAM и переход на другой участок петли гистерезиса позволяет получить два хорошо различимых по энергии состояния, чего вполне достаточно для создания памяти на основе такой ячейки.

По сравнению с DRAM (Dynamic RAM), построенной на изменении заряда конденсаторов, FRAM не требует регенерации, но при этом сравнима по быстродействию. При этом DRAM, наиболее дешевый и популярный вид памяти, имеет заметное (на фоне всех остальных технологий) энергопотребление вследствие постоянной регенерации, поэтому динамические ОЗУ неконкурентны в сегменте чувствительных к энергопотреблению решений, например в полевых устройствах Интернета Вещей.

Более дорогая SRAM (принцип работы основан на применении КМОП-транзисторов) быстрее DRAM и не требует регенерации, но также энергозависима. В отношении этих двух технологий FRAM выигрывает в отсутствии необходимости применения аккумуляторов питания, а также интересна значительно более компактными размерами, позволяющими «втиснуть» в небольшое пространство портативного электронного прибора больше микросхем памяти. Хотя FRAM незначительно уступает SRAM в быстродействии, но выигрывает в стоимости решений.

В сегменте энергонезависимой памяти конкурентами FRAM являются Flash и EEPROM, основанные на применении транзисторов с плавающим затвором. Последняя, в силу малой емкости уже практически полностью вытеснена с рынка Flash-памятью.

По сравнению с Flash сегнетоэлектрическая технология FRAM значительно выигрывает в энергопотреблении и скорости записи, равно, как и в количестве циклов перезаписи. Кроме того, FRAM позволяет произвольный доступ к отдельным битам, не задевая соседние, в то время, как в Flash запись осуществляется достаточно большими блоками. Этим обусловлено удобство применения FRAM в приложениях с частым переписыванием информации, чувствительных к точности данных и энергопотреблению. Очень неплохо показало себя применение FRAM в микроконтроллерах в комбинации с небольшим объёмом SRAM.

Конечно, по закону сохранения, там, где есть преимущества, неизбежны и недостатки – FRAM уступает Flash в плотности и, как следствие, в емкости дискретных компонентов. К тому же, сегодня Flash значительно дешевле, что немаловажно в потребительской электронике с сумасшедшим уровнем конкуренции и высокой чувствительности к BOM.

Fujitsu Semiconductor является одним из локомотивов развития технологии FRAM и непрерывно работает над увеличением емкости микросхем памяти и уменьшением стоимости их производства.

Очередным шагом на этом пути стало завершение в этом году разработки и начало серийного производства 8-мегабитного сегнетоэлектрического ОЗУ серии MB85R8M2T – микросхемы с наибольшим объемом памяти в семействе энергонезависимых устройств Fujitsu.

Согласно выкладок разработчиков, FRAM выгодна для приложений низким энергопотреблением, с относительно большим объемом и высокой частотой записи в энергонезависимую память. Новые микросхемы призваны стать отличным решением для исключения батарей резервного питания ОЗУ из промышленного оборудования

MB85R8M2T работает в широком диапазоне питающих напряжений от 1.8 В до 3.6 В и имеет параллельный интерфейс, совместимый со SRAM. К типовым приложениям применения MB85R8M2T относятся системы промышленного управления, роботизированные комплексы.

Основные характеристики MB85R8M2T:

  • Объем: 8 Мбит (524,288 × 16)
  • Интерфейс: параллельный
  • Диапазон рабочих напряжений: от 1.8 до 3.6 В
  • Продолжительность энергонезависимого хранения данных: 10 лет (при +85 °C), 95 лет (+ 55 °C), свыше 200 лет (+35 °C)
  • Низкое энергопотребление:
    • в операционном режиме до 20 мА
    • в режиме ожидания до 300 мкА
    • в спящем режиме до 40 мкА
  • Диапазон рабочих температур: от –40 до +85 °C
  • Количество циклов чтения/записи: 10 трлн. циклов (1013)
  • Корпус: пластиковый 48-выводной FBGA-48-M24, 8.00 × 6.00 мм.

vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современных контроллеров питания в системах различного назначения обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS — поставщика компонентной базы от ведущих мировых производителей для предприятий электронной промышленности Украины.

Каталог товаров

Каталоги

Спецификации