Платформа CoolMOS™ P7 пополнится MOSFET в форм-факторе SOT-223
28.08.2017435

Немецкий концерн Infineon сообщает о расширении фирменной линейки метал-оксидных полевых транзисторов чипами в сверхкомпактном корпусе SOT-223.

coolmos-p7-new-mosfet-5

Новые транзисторы CoolMOS™ P7 на 600, 700 и 800 В в форм-факторе SOT-223 спроектированы с учётом взаимозаменяемости с транзисторами в корпусе DPAK. По сути, новые MOSFET являются бюджетной альтернативой транзисторам в корпусе DPAK. Температурное поведение компонентов CoolMOS™ P7 в новом корпусе исследовано в различных схемах. При монтаже чипа в корпусе SOT-223 вместо чипа в корпусе DPAK было зафиксировано незначительное увеличение температуры нагрева компонента, максимум на 2..3 °C (в сравнении с DPAK). При площади медной области в 20 кв.мм или более температурные характеристики обоих корпусов практически идентичны.

Новые транзисторы предназначены для чувствительных к стоимости компонентов приложений. В частности, производитель предрекает новинке большое будущее в схемах зарядных устройств смартфонов, адаптеров питания ноутбуков, блоков питания телевизоров и систем освещения.

Таким образом, компания Infineon в довольно бодром темпе продолжает развивать новое семейство метал-оксидных полевых транзисторов CoolMOS™ P7. Фирменная линейка CoolMOS™ P7 от Infineon является отлично сбалансированным решением, обладающим оптимальным соотношением эффективности и цены. Ключевая особенность транзисторов линейки — возможность их применения в схемах с различными топологиями.

coolmos-p7-new-mosfet-2

Транзисторы 600V CoolMOS™ P7 на напряжение 600 В являются приемниками серии CoolMOS™ P6 и находят свое применение в мощных импульсных источниках питания, солнечных инверторах и зарядных станциях для электротранспорта. Транзисторы линейки в основном используются в секции ККМ и топологиях LLC и TTF (Two-Transistor Forward).

MOSFET CoolMOS™ P7 отличаются сниженными на 30%-60% значениями Qg и EOSS, что приводит к уменьшению коммутационных потерь и увеличению КПД. Кроме того, благодаря оптимизированному значению RDS(ON) становится возможным использование меньших корпусов при сохранении прежних значений рабочего тока. Таким образом, достигается большая плотность мощности конечного изделия.

coolmos-p7-new-mosfet-4

Линейка 700V CoolMOS™ P7 предназначена, в основном, для маломощных импульсных источников питания, построенных по топологии обратноходового преобразователя. Это могут быть различные зарядные устройства для портативной электроники, LED-драйверы или различные источники питания собственных нужд. Благодаря оптимизации параметров MOSFET достигается выигрыш до 2,4% в КПД и до 16 °C в температуре нагрева чипа при прямой замене транзисторов предыдущего поколения новыми компонентами.

coolmos-p7-new-mosfet-1

Транзисторы 800V CoolMOS™ P7, также предназначенные для использования в схемах обратноходовыми преобразователями для разнообразных адаптеров, источников питания, систем светодиодного освещения и пр. Применение новых транзисторов в этом классе напряжения дает выигрыш от 0.1% до 0.6% в КПД при снижении температуры нагрева на 2…8°C.

coolmos-p7-new-mosfet-3

Основные преимущества транзисторов CoolMOS P7:

  • более мощный встроенный диод, позволяющий работать в LLC схемах;
  • встроенная ESD 2kV HBM защита цепи затвора;
  • малый уровень звона в цепи затвора при коммутации;
  • отличное соотношение RDS(on) и Qg;
  • широкий выбор корпусов;
  • универсальность — работают в топологиях PFC, LLC, TTF, Flyback;
  • хорошее соотношение эффективность/цена.

vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS — профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.