Следующее поколение мощных MOSFET с суперпереходом
07.09.201857

Toshiba завершила разработку и начала производство новой серии 650-вольтовых MOSFET следующего поколения, предназначенных для использования в источниках питания серверов ЦОД, инверторах СЭС, ИБП и других промышленных приложениях.

Следующее поколение мощных MOSFET с суперпереходом

Первое устройство серии, изготовленное по технологии DTMOS VI и получившее обозначение TK040N65Z, представляет собой 650-вольтовый транзистор с максимально допустимым постоянным током стока 57 А и импульсным током до 228 А. Новый прибор отличается ультранизким сопротивлением открытого канала до 0.04 Ом (типовое значение 0.033 Ом), уменьшающим потери мощности в энергетических приложениях. Благодаря сниженной емкости, устройство, работающее в режиме обогащения, идеально подходит для использования в современных высокочастотных источниках питания.

Новые транзисторы повысят КПД источников питания за счет снижения важнейшего показателя качества MOSFET – произведения сопротивления открытого канала на емкость затвора. TK040N65Z демонстрирует 40-процентное снижение этого параметра по сравнению с предыдущими устройствами DTMOS IV-H, что, как показали измерения в 2.5-киловаттном корректоре коэффициента мощности, дает прирост КПД источника питания в 0.36%.

Транзистор выпускается в стандартном для отрасли корпусе TO-247, обеспечивающем как совместимость со старыми проектами, так и пригодность для новых разработок. Новый компонент уже освоен в производстве и доступен для заказа.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам новейших компонентов и систем обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS — официального дистрибьютора и профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.

Перейти в каталог товаров

Спецификации