Стартовало массовое производство модулей флэш-памяти 512 Гб
17.01.2018265

Корейский суперчеболь Samsung Electronics объявил о начале серийного выпуска первых в индустрии встраиваемых модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 ГБ для смартфонов и планшетов.

new-samsung-eufs-512-gb-1

Новые модули созданы на базе технологии 64-слойной флэш-памяти V-NAND и производятся на новом заводе Samsung в Пьонтайк (Pyeongtaek), Южная Корея. Новая фабрика обошлась Samsung в астрономические 37 триллионов корейских вонов (около 30 млрд. долларов США) и была запущена в работу в середине июня. Предприятие специализируется на производстве модулей 64-слойной памяти 4-го поколения V-NAND. Первыми со стапелей предприятия начали отгружать модули 256 ГБ, и вот, всего через полгода, предприятие начало выдавать на-гора новые модули 512 ГБ.

memory-market-events-3

Новые модули флэш-памяти eUFS емкостью 512 ГБ, состоящие из восьми микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит и контроллера, по размерам корпуса идентичны предшественникам емкостью 256 ГБ. На данный момент память eUFS выпускается в коммерческом исполнении емкостью 64, 128 и 256 ГБ. Эти же модули в индустриальном исполнении пока доступны только в виде инженерных образцов. Модули 512 ГБ, о которых говорится в пресс-релизе компании, на официальном сайте пока не представлены вовсе.

Part Number Version Density Voltage Interface Package Size Temp. Product Status
KLUCG4J1ED-B0C1 UFS 2.1 64GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
KLUCG4J1ZD-B0CP UFS 2.1 64GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Sample
KLUCG4J1ZD-B0CQ UFS 2.1 64GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Sample
KLUDG4U1EA-B0C1 UFS 2.1 128GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
KLUDG8J1ZD-B0CP UFS 2.1 128GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Sample
KLUDG8J1ZD-B0CQ UFS 2.1 128GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.2 mm -40 ~ 105 °C Sample
KLUDG8V1EE-B0C1 UFS 2.1 128GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
KLUEG8U1EA-B0C1 UFS 2.1 256GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
KLUEG8U1EM-B0C1 UFS 2.1 256GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.0 mm -25 ~ 85 °C Mass Production
KLUEGAJ1ZD-B0CP UFS 2.1 256GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.65 mm -40 ~ 105 °C Sample
KLUEGAJ1ZD-B0CQ UFS 2.1 256GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.65 mm -40 ~ 105 °C Sample

Что известно – это возросшая скорость обмена данными при снижении удельного энергопотребления на 35%. Скорость последовательного чтения в новых модулях Samsung достигает 860 МБ/с, последовательной записи — 255 МБ/с. Хранящийся в встроенной памяти смартфона видеоролик разрешением 1920х1080 пикселей размером 5 ГБ можно будет скопировать за 6 секунд – в восемь раз быстрее, чем при копировании с карты памяти microSD. Максимальная производительность на операциях с произвольным доступом в режиме чтения заявлена равной 42 000 IOPS, в режиме записи — 40 000 IOPS. Это примерно в 400 раз выше, чем у карт памяти microSD (около 100 IOPS).

new-samsung-eufs-512-gb-2

Впрочем, новые возможности eUFS 512 ГБ понравятся не только счастливым обладателям флагманских моделей смартфонов Samsung. Феноменальная плотность хранения, высокая скорость обмена данными и отличная надежность открывают новые возможности для использования eUFS в промышленных приложениях, прежде всего в автомобильной электронике.

По некоторым оценкам в стремлении снять сливки с массового рынка чеболь в первую очередь постарается удовлетворить запросы производителей смартфонов и планшетов и только потом повернется лицом к промышленной электронике. Samsung анонсировала наращивание темпов выпуска новой 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит при этом не уменьшая и  производство модулей 48-слойной памяти 256 Гбит.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS — профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.