Американская компания International Rectifier, уже два года, как подразделение немецкого концерна Infineon Technologies, расширяя сферу компетенции, разработала и вывела на рынок первые фирменные МОП-транзисторы для применения в авиации и в космической отрасли.

new-ir-hirel-mosfet-for-airspace

 

Радиационно-стойкие MOSFET серий IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 построены на основе проприетарной технологии R9. Новая технология, освоенная компанией, позволяет разрабатывать более компактные компоненты с лучшими характеристиками. Особенно важным для спутниковых систем, целевого приложения для новых компонентов, является высокая энергоэффективность компонентов.

Транзисторы IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 на 100 В идентичны по основным характеристикам и отличаются только степенью защиты от накопленной доли радиации: IRHNJ9A7130 рассчитан на 100 кРад, IRHNJ9A3130 – соответственно, на 300 кРад.

Разработчики сообщают, что новые компоненты имеют на 33% меньшее сопротивление по сравнению с предыдущими поколениями (Rds(on)=25 мОм). Также в новых MOSFET увеличены ток стока (до 35 А вместо 22 А) и, соответственно, достигнут  более высокий уровень удельной мощности. Также IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 характеризуются малым временем срабатывания и сниженными потерями при использовании в переключающихся схемах.

Новые МОП-транзисторы характеризуются повышенной стойкостью к одиночным импульсам радиационного излучения и показателем линейной передачи энергии 90 МэВ/(мг/кв.см). IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 производятся в компактном (10,28 х 7,64 х 3,12 мм) герметичном керамическом корпусе SMD-0.5 для автоматического монтажа волной припоя на SMT-линиях.

Заявленный срок службы новых МОП-транзисторов – не менее 15 лет. Целевые приложения для использования IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 – DC/DC-преобразователи космического назначения, промежуточные преобразователи напряжения шин питания, контроллеры двигателей и прочие высокоскоростные импульсные схемы.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам электронных компонентов для аэрокосмической отрасли обращайтесь в отдел электронных компонентов Научно-производственной фирмы VD MAIS — профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.

Корпорация Toshiba расширила линейку высокоэффективных МОП-транзисторов U-MOS IX-H новыми компонентами на 40 В. Новые компоненты помогут повысить эффективность и снизить собственное потребление импульсных источников питания.

Компоненты TK3R1E04PL и TK3R1A04PL были анонсированы в пресс-релизе Toshiba Electronics Europe. Классические металл-оксидные полевые транзисторы с каналом n-типа относятся к семейству высокоэффективных полупроводниковых компонентов с быстрым переключением U-MOS IX-H. MOSFET серий TK3R1E04PL и TK3R1A04PL по мнению производителя помогут разработчикам импульсных источников питания повысить эффективность и снизить энергопотребление холостого хода. В частности в качестве целевых приложений называются вторичные цепи DC/DC и AC/DC-преобразователей, приводы электродвигателей, регуляторы напряжения и другие.

toshiba-new-mosfets-tk3r1e04pl

Полевые транзисторы TK3R1E04PL (в форм-факторе TO-220) и TK3R1A04PL (в форм-факторе TO-220SIS) рассчитаны на значение напряжения между стоком и истоком (VDSS) 40 В и могут работать при напряжениях между затвором и истоком (VGSS) в диапазоне ±20 В. Максимальные значения постоянного тока стока составляют 100 и 82 А соответственно для TK3R1E04PL и TK3R1A04PL.

Оба компонента отличаются низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) — всего 2,5 мОм (при VGS = 10 В) и типовой выходной емкостью (COSS), равной 1000 пФ. Такие характеристики обеспечивают эффективную работу в открытом состоянии, быстрое переключение и снижение потерь при переключении.

Благодаря лучшему в классе соотношению сопротивления к выходной емкости транзисторы TK3R1E04PL и TK3R1A04PL позволяют создавать источники питания с оптимальными показателями эффективности. В их числе схемы синхронного выпрямления, где низкий выходной заряд (QOSS) уменьшает вклад устройства в потери мощности при выпрямлении.

Новые МОП-транзисторы могут функционировать при температуре канала до +175 °C, а применение технологии U-MOS IX-H обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне температур и режимов нагрузки.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современной компонентной базы для производства импульсных источников питания обращайтесь в отдел электронных компонентов компании VD MAIS — профессионального дистрибьютора электронных компонентов для различных отраслей промышленности Украины.