Компания Wolfspeed, подразделение корпорации CREE, специализирующееся на силовой электронике, расширила семейство выпускаемых ВПЭ-транзисторов на основе нитрида галлия моделями на 50 В с минимальной выходной мощностью 180 Вт.

cghv40180-new-gan-hemt-1

Новый несогласованный транзистор с высокой подвижностью электронов (ВПЭ или High Electron Mobility Transistor, HEMT) создан для растущего рынка радарных систем сверхвысокочастотного диапазона. Устройство предназначено для использования в схемах военной и гражданской защищенной VHF-UHF радиосвязи, в радарных установка сверхдальнего радиуса действия, а также в широкополосных усилителях и некоторых медицинских приложениях.

Новый СВЧ транзистор CGHV40180 на нитриде галлия обладает более высокой удельной и выходной мощностью в сравнении с конкурирующими компонентами на основе кремниевой технологии LDMOS (на 67 % больше мощности незатухающих колебаний в сравнении с кремниевыми аналогами в корпусе такого же размера). При минимальной выходной мощности 180 Вт (CW) транзистор имеет типовую мощность насыщения 250 Вт, коэффициент усиления слабого сигнала – 20 дБ, усиление по мощности – 24 дБ (при 900 МГц).

cghv40180-new-gan-hemt-2

Транзистор выпускается в обычном исполнении CGHV40180P (в керамическом корпусе 440206) и в модификации с фланцами CGHV40180F (корпус 440223). Для знакомства с работой компонента производитель предлагает оценочную плату CGHV40180P(F)-AMP с демонстрационной схемой усилителя.

Температурный диапазон эксплуатации новинки – от -40 до +150  ̊C. Пайка компонента осуществляется при +245  ̊C. Что интересно, заявив о диапазоне новых HEMT до 2 ГГц, производитель в открытый доступ предоставил спецификации компонентов до 1000 МГц.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современных электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов компании VD MAIS — официального дистрибьютора продукции CREE в Украине.

Баварская компания Infineon Technologies представила новую серию металл-оксидных полевых транзисторов семейства CoolMOS™ P7.

coolmos-p7-600-v-new-mosfet-1

Являясь развитием линейки транзисторов 600 В семейства CoolMOS™ P6, новое поколение CoolMOS™ P7 ориентировано на широкий спектр приложений — от маломощных импульсных источников питания до силовых каскадов высокой мощности, работающих в режиме жесткой или плавной коммутации. Серия транзисторов с рабочим напряжением 600 В CoolMOS™ P7 считается наиболее сбалансированной среди всех устройств CoolMOS™ компании Infineon по таким показателям, как минимизация паразитных колебаний, высокий КПД переключения и конкурентоспособная цена.

Новые 600-вольтовые транзисторы CoolMOS™ P7 обеспечивают на 1.5% большую эффективность и греются на 4.2°C меньше, чем аналогичные конкурирующие продукты. Заряд затвора QG и накопленная энергия на выходной емкости EOSS новых транзисторов на 30…60% меньше, по сравнению с устройствами CoolMOS™ предыдущего поколения и конкурирующими решениями, что позволяет снизить потери на переключение в управляющем контуре, повысив тем самым КПД схемы в приложениях различного класса мощности. Оптимизированное сопротивление открытого канала RDS(ON) позволяет снизить монтажную площадь и увеличить плотность мощности конечного решения.

coolmos-p7-600-v-new-mosfet-2

Удобство применения транзисторов CoolMOS™ P7 достигается, в том числе, за счет тщательного отбора по характеристикам интегрированного резистора затвора. Внутренний паразитный диод с высокой перегрузочной способностью позволяет применять транзисторы в схемах как с жестким так и с плавным режимами коммутации. Вся линейка 600-вольтовых транзисторов CoolMOS™ P7 отличается стойкостью к электростатическим разрядам свыше 2 кВ (модель человеческого тела), что снижает вероятность выхода устройства из строя в процессе его монтажа. Транзисторы с сопротивлением открытого канала выше 100 мОм гарантируют надежную защиту от электростатических разрядов благодаря встроенному стабилитрону.

Линейка включает 60 моделей, в корпусах D2PAK (TO-263), DPAK (TO-252), SOT-223, ThinPAK 8×8 для автоматического SMT-монтажа и TO-220, TO-220 FullPAK, TO-220 FullPAK Wide Creepage, TO-247 и TO-247-4-3 для THT-монтажа на токи стока от 6 до 76 А.

Отличительные особенности CoolMOS™ P7:

  • Превосходные коммутационные характеристики
  • Оптимальный баланс между эффективностью и простотой использования
  • Существенно меньшие потери на переключение и проводимость
  • Высокая стойкость к электростатическим разрядам: свыше 2 кВ по модели человеческого тела (HBM)
  • Меньшее сопротивление открытого канала RDS(ON) по сравнению с конкурирующими устройствами в аналогичных корпусах
  • Широкая линейка устройств, тщательно отобранных по параметру сопротивления открытого канала RDS(ON) и сертифицированных для применения в промышленных и потребительских приложениях

Ключевые преимущества CoolMOS™ P7:

  • Пригодны для применения в схемах с жестким и плавным режимами коммутации
  • Легкость применения и интеграции в пользовательское решение за счет малого уровня затухающих колебаний («звона») и возможности работы в составе каскадов широтно-импульсной модуляции и коррекции коэффициента мощности
  • Легкость управления тепловым режимом благодаря малым потерям на проводимость и переключение
  • Увеличенная плотность мощности за счет использования компонентов с меньшей опорной площадью корпуса
  • Пригодны для применения в широком спектре приложений различных классов мощности

Область применения CoolMOS™ P7:

  • Источники питания серверов и персональных компьютеров, плазменных и ЖК дисплеев, осветительных приборов, телекоммуникационного оборудования
  • Источники бесперебойного питания

vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS — профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.

Американская компания International Rectifier, уже два года, как подразделение немецкого концерна Infineon Technologies, расширяя сферу компетенции, разработала и вывела на рынок первые фирменные МОП-транзисторы для применения в авиации и в космической отрасли.

new-ir-hirel-mosfet-for-airspace

 

Радиационно-стойкие MOSFET серий IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 построены на основе проприетарной технологии R9. Новая технология, освоенная компанией, позволяет разрабатывать более компактные компоненты с лучшими характеристиками. Особенно важным для спутниковых систем, целевого приложения для новых компонентов, является высокая энергоэффективность компонентов.

Транзисторы IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 на 100 В идентичны по основным характеристикам и отличаются только степенью защиты от накопленной доли радиации: IRHNJ9A7130 рассчитан на 100 кРад, IRHNJ9A3130 – соответственно, на 300 кРад.

Разработчики сообщают, что новые компоненты имеют на 33% меньшее сопротивление по сравнению с предыдущими поколениями (Rds(on)=25 мОм). Также в новых MOSFET увеличены ток стока (до 35 А вместо 22 А) и, соответственно, достигнут  более высокий уровень удельной мощности. Также IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 характеризуются малым временем срабатывания и сниженными потерями при использовании в переключающихся схемах.

Новые МОП-транзисторы характеризуются повышенной стойкостью к одиночным импульсам радиационного излучения и показателем линейной передачи энергии 90 МэВ/(мг/кв.см). IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 производятся в компактном (10,28 х 7,64 х 3,12 мм) герметичном керамическом корпусе SMD-0.5 для автоматического монтажа волной припоя на SMT-линиях.

Заявленный срок службы новых МОП-транзисторов – не менее 15 лет. Целевые приложения для использования IRHNJ9A7130 и IRHNJ9A3130 – DC/DC-преобразователи космического назначения, промежуточные преобразователи напряжения шин питания, контроллеры двигателей и прочие высокоскоростные импульсные схемы.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам электронных компонентов для аэрокосмической отрасли обращайтесь в отдел электронных компонентов Научно-производственной фирмы VD MAIS — профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.

Корпорация Toshiba расширила линейку высокоэффективных МОП-транзисторов U-MOS IX-H новыми компонентами на 40 В. Новые компоненты помогут повысить эффективность и снизить собственное потребление импульсных источников питания.

Компоненты TK3R1E04PL и TK3R1A04PL были анонсированы в пресс-релизе Toshiba Electronics Europe. Классические металл-оксидные полевые транзисторы с каналом n-типа относятся к семейству высокоэффективных полупроводниковых компонентов с быстрым переключением U-MOS IX-H. MOSFET серий TK3R1E04PL и TK3R1A04PL по мнению производителя помогут разработчикам импульсных источников питания повысить эффективность и снизить энергопотребление холостого хода. В частности в качестве целевых приложений называются вторичные цепи DC/DC и AC/DC-преобразователей, приводы электродвигателей, регуляторы напряжения и другие.

toshiba-new-mosfets-tk3r1e04pl

Полевые транзисторы TK3R1E04PL (в форм-факторе TO-220) и TK3R1A04PL (в форм-факторе TO-220SIS) рассчитаны на значение напряжения между стоком и истоком (VDSS) 40 В и могут работать при напряжениях между затвором и истоком (VGSS) в диапазоне ±20 В. Максимальные значения постоянного тока стока составляют 100 и 82 А соответственно для TK3R1E04PL и TK3R1A04PL.

Оба компонента отличаются низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (RDS(ON)) — всего 2,5 мОм (при VGS = 10 В) и типовой выходной емкостью (COSS), равной 1000 пФ. Такие характеристики обеспечивают эффективную работу в открытом состоянии, быстрое переключение и снижение потерь при переключении.

Благодаря лучшему в классе соотношению сопротивления к выходной емкости транзисторы TK3R1E04PL и TK3R1A04PL позволяют создавать источники питания с оптимальными показателями эффективности. В их числе схемы синхронного выпрямления, где низкий выходной заряд (QOSS) уменьшает вклад устройства в потери мощности при выпрямлении.

Новые МОП-транзисторы могут функционировать при температуре канала до +175 °C, а применение технологии U-MOS IX-H обеспечивает стабильную работу в широком диапазоне температур и режимов нагрузки.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современной компонентной базы для производства импульсных источников питания обращайтесь в отдел электронных компонентов компании VD MAIS — профессионального дистрибьютора электронных компонентов для различных отраслей промышленности Украины.