Toshiba развивает новые поколения MOSFET
02.02.2017341

Японская корпорация Toshiba Semiconductor активно развивает новые поколения фирменных линеек полевых транзисторов. Уже в этом году в производство поступили новые серии N-канальных МОП-транзисторов на 800 В с улучшенными показателями сопротивления открытого канала и быстродействия и на 600/650 В с улучшенными характристиками по электромагнитной совместимости.

Новые MOSFET на напряжение 800 В в форм-факторах TO-220 / TO-220SIS построены на основе проприетарной технологии DTMOS IV, позволившей на 79% снизить значение сопротивления открытого канала на единицу площади (RON×A) по сравнению с предшествующей технологией π-MOSVIII. Соответственно снижены и коммутационные потери в компонентах. Также производитель заявляет о снижении стоимости новых транзисторов. Серия насчитывает 8 моделей, дискретных по значению тока. Отгрузка промышленных партий заказчикам стартовала 20 января 2017 года.

Part Number Package Absolute Maximum Rating RDS(ON)MAX. (Ω) @VGS=10V Qg Typ. (nC) @VDD=400V VGS=10V ID=Maximum Rating Ciss Typ. (pF) @VDS=300V VGS=0V VGS=0V f=100kHz
VDSS (V) ID (A)
TK17A80W TO-220SIS 800 17 0,29 32 2050
TK12A80W TO-220SIS 800 11,5 0,45 23 1400
TK10A80W TO-220SIS 800 9,5 0,55 19 1150
TK7A80W TO-220SIS 800 6,5 0,95 13 700
TK17E80W TO-220 800 17 0,29 32 2050
TK12E80W TO-220 800 11,5 0,45 23 1400
TK10E80W TO-220 800 9,5 0,55 19 1150
TK7E80W TO-220 800 6,5 0,95 13 700

А в начале февраля компания объявила о выходе на рынок еще более нового поколения МОП-транзисторов на 600/650 В. Первые 12 моделей в серии созданы на основе технологии DTMOS V, которая, наряду со сниженным сопротивлением открытого канала (вплоть до 0.29Ω) и высоким быстродействием, заложенными в технологии DTMOS IV, позволяют также улучшить показатели электромагнитного взаимодействия до 3~5 dB.

Инженерные образцы новых MOSFET в корпусах TO-220SIS и DPAK доступны для заказа с 1 февраля. Отгрузка промышленных партий планируется с середины марта этого года.

Part Number Package Absolute Maximum Rating RDS(ON)MAX. (Ω) @VGS=10V Qg Typ. (nC) @VDD=400V VGS=10V ID=Maximum Rating Ciss Typ. (pF) @VDS=300V VGS=0V VGS=0V f=100kHz
VDSS (V) ID (A)
TK290A60Y TO-220SIS 600 11,5 0,29 25 730
TK380A60Y TO-220SIS 600 9,7 0,38 20 590
TK560A60Y TO-220SIS 600 7 0,56 14,5 380
TK290P60Y DPAK 600 11,5 0,29 25 730
TK380P60Y DPAK 600 9,7 0,38 20 590
TK560P60Y DPAK 600 7 0,56 14,5 380
TK290A65Y TO-220SIS 650 11,5 0,29 25 730
TK380A65Y TO-220SIS 650 9,7 0,38 20 590
TK560A65Y TO-220SIS 650 7 0,56 14,5 380
TK290P65Y DPAK 650 11,5 0,29 25 730
TK380P65Y DPAK 650 9,7 0,38 20 590
TK560P65Y DPAK 650 7 0,56 14,5 380

vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современной компонентной базы для производства электронных приборов обращайтесь в отдел электронных компонентов компании VD MAIS — профессионального дистрибьютора электронных компонентов для различных отраслей промышленности Украины.