96-слойная 3D флеш-память уже на подходе
05.07.2017574

Японская корпорация Toshiba умеет удивлять! На исходе июня Toshiba Memory Corporation объявила о разработке прототипа 96-слойной флеш-памяти (фирменное наименование технологической платформы BiCS FLASH™). Инженерные образцы новинки будут отгружаться уже во второй половине этого года, а массовое производство стартует в следующем году.

3d-v-nand-flash-memory-news-3

Новая память выполнена по технологии TLC (triple-level cell, три бита на ячейку). Модули памяти по 256 гигабит (32 гигабайта) позволят миниатюризировать промышленные и потребительские SSD, смартфоны, планшеты и карты памяти.

Забегая вперед, Toshiba Memory Corporation обещают вскоре также представить модули 96-слойной флеш-памяти 512 гигабит (64 гигабайта) на основе технологии QLC (quadruple -level cell, четыре бита на ячейку).

Инновационная технология изготовления 96-слойной памяти NAND позволяет увеличить емкость твердотельных накопителей на 40% по сравнению с 64-слойной. При этом разработчик утверждает о заметном снижении стоимости за единицу емкости. Новая флеш-память QLC 3D) позволит выпускать накопители данных ёмкостью до 1,5 ТБ в компактном корпусе 16-кристалльной многоуровневой архитектуры. На сегодняшний день это решение имеет максимальную плотность емкости памяти к объему накопителя.

Очевидно, японцы решили вступить в схватку за рынок флеш-памяти с южнокорейским супер-чоболем Samsung. Несмотря на то, что именно Toshiba первой в мире изготовила 3D флеш-память (случилось это в 2007 году), Samsung Electronics сумели перехватить инициативу и сегодня контролируют более трети мирового рынка флеш-памяти NAND. Корейцы первыми объявили о начале производства 64-слойной памяти (пока, правда, в ограниченных количествах для ключевых клиентов) в начале этого года.

3d-v-nand-flash-memory-news-2

И вот японцы начинают контрнаступление. Объявлено о запланированном начале производства 96-слойных модулей BiCS FLASH™ на заводах корпорации в Йоккаити Fab 5, новый завод Fab 2, и строящийся Fab 6, который будет запущен летом 2018 года.

О серьёзности намерений Toshiba свидетельствует официальный релиз корпорации, выпущенный 28 июня. Toshiba Corporation сообщает о решении инвестировать уже в этом финансовом году 180 миллиардов йен в строительство завода Fab 6 в Йоккаити. Причем подчеркивается, что завод будет специализироваться именно на производстве 96-слойной флеш-памяти. Первая очередь завода должна заработать уже летом 2018 года. Осенью этого года параллельно начнется строительство второй очереди завода, которая будет запущена в эксплуатацию до конца 2018 года.

Также японцы фактически поставили ультиматум перед партнерами – американской компанией SanDisk (принадлежит американской же корпорации Western Digital). Без обиняков им предложено либо присоединиться к инвестициям, либо отойти в сторону – с ними или без них, но амбициозный проект будет реализован.

А ведь еще в прошлом месяце отраслевые эксперты запасались поп-корном в ожидании зрелищной схватки за активы Toshiba Memory Corporation между тремя консорциумами во главе с Western Digital, Foxconn и Broadcom. Оказалось, что делить особо-то и нечего – японский мишка оказался не только не убит, а очень даже резво встал на задние лапы в смелой попытке отхватить кусок рынка побольше.

Ситуация в данном сегменте глобальной полупроводниковой отрасли становится все интереснее. Наблюдаем. И, не забываем, что самые инновационные полупроводниковые компоненты доступны и украинским производителям электроники благодаря сотрудничеству с научно-производственной фирмой VD MAIS.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современной компонентной базы для производства электронных приборов обращайтесь в отдел электронных компонентов фирмы VD MAIS – профессионального дистрибьютора электронных компонентов от ведущих мировых производителей для различных отраслей промышленности Украины.