Бóльшая мощность – меньшее время разработки
05.05.2017596

Компания NXP Semiconductors анонсировала завершение разработки новой технологии LDMOS (МОП с поверхностной диффузией) создания радиочастотных транзисторов с рабочим напряжением до 65 В.

Заметный рост в напряжении транзисторов, работающих в радиочастотном диапазоне,  открывает дорогу новому поколению устройств: транзисторам серии MRFX.

mrfx-new-ldmos-tech-1

При создании флагманского 1800-ваттного транзистора MRFX1K80 разработчики сделали основной акцент на простоту использования. В связи со все более широким использованием радиочастот в различных промышленных приложениях, NXP предоставляет конструкторам мощных радиочастотных устройств средства сокращения цикла разработки:

Бóльшая мощность:

Повышенное рабочее напряжение позволяет увеличить выходную мощность и, сократив количество транзисторов выходного каскада, упростить конструкцию усилителей мощности и уменьшить их размеры.

Меньшее время разработки:

Благодаря более высокому напряжению, можно увеличить выходную мощность, сохранив приемлемый уровень выходного импеданса. Это упрощает 50-омное согласование, особенно в широкополосных приложениях. Простота согласования существенно сокращает время разработки.

Повторное использование конструкции:

Простота согласования и совместимость по выводам с существующими 50-вольтовыми LDMOS транзисторами дают разработчикам радиочастотных устройств возможность повторно использовать существующие печатные платы и, таким образом, дополнительно сократить время выхода на рынок.

Контролируемый уровень тока:

Повышенное напряжение снижает ток системы, ограничивая нагрузку на источники питания и уменьшая магнитные излучения.

Широкий диапазон безопасных режимов:

Пробивное напряжение транзисторов, изготовленных по 65-вольтовой LDMOS технологии NXP, равно 182 В, что повышает надежность и позволяет реализовывать более эффективные конструктивные решения.

mrfx-new-ldmos-tech-2

Первым в серии MRFX появился MRFX1K80 – самый мощный в отрасли среди всех радиочастотных транзисторов, способных работать в режиме усиления непрерывных колебаний. В приложениях, работающих на частотах от 1 до 470 МГц, устройство отдает непрерывную мощность 1800 Вт при напряжении питания 65 В и выдерживает стоячую волну напряжения при КСВ, достигающем 65:1.

MRFX1K80 ориентирован на использование в промышленных, научных и медицинских приложениях для формирования лазерного излучения, плазменного травления, магниторезонансной визуализации, лечения кожи и диатермии, а также ускорения заряженных частиц и иных научных целей. Кроме того, MRFX1K80 хорошо подходит для вещательных передатчиков радио и телевидения УКВ диапазона. Помимо этого, высокий уровень управляемости, присущий твердотельным приборам, позволит улучшить технические характеристики промышленных нагревательных установок, сварочного оборудования или сушильных агрегатов, в которых до сих пор используются электровакуумные приборы.

mrfx-new-ldmos-tech-3

В настоящее время мелкими партиями уже выпускается транзистор MRFX1K80H в керамическом корпусе с воздушной полостью, а начало серийного производства ожидается в августе 2017 года. Доступны также оценочные схемы для приложений диапазонов 27 МГц и 87.5-108 МГц. В ближайшее время NXP представит версию транзистора, опрессованного в пластмассовый корпус (MRFX1K80N). Ждем-с.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современной компонентной базы для производства электронных приборов обращайтесь в отдел электронных компонентов фирмы VD MAIS – профессионального дистрибьютора электронных компонентов для различных отраслей промышленности Украины.