HiperFET Power MOSFET-транзисторы класса Q3 от компании IXYS

28.10.2016 |
9

Компания IXYS, эксперт глобального уровня в области силовой электроники, предлагает потребителям широкий спектр мощных N-канальных транзисторов Q3 HiPerFET Power MOSFET, предназначенных для использования в устройствах, требующих работы на высоких частотах до 27 МГц.

За счет уменьшения заряда затвора Qg, внутреннего сопротивления RGI и оптимизации других параметров в транзисторах Q3 HiPerFET Power MOSFET уменьшено влияние эффекта Миллера, что позволяет уверенно управлять затвором и делает потери на переключение еще более низкими. Транзисторы Q3 HiPerFET Power MOSFET зарекомендовали себя как надежное решение для высокочастотных задач.

Особенности:

  • работа на частотах до 27 MГц;
  • низкое сопротивление в открытом состоянии Rds(on);
  • малый заряд затвора Qg;
  • низкие динамические потери при переключении ;
  • быстрый внутренний диод с малым Qrr;
  • устойчивость к высокому dV/dt до 50 В/нс;
  • корпуса с улучшенным теплоотводом, Rthjc до 0.08°С/Вт;
  • высокая помехоустойчивость.
 Part Number VDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Q3-HiPerFET-Power-MOSFET-1 Status
IXFT70N20Q3 200 70 0.040 3150 67 250 690 0.180 TO-268 Active Part
IXFT50N30Q3 300 50 0.080 3160 65 250 690 0.180 TO-268 Active Part
IXFT70N30Q3 300 70 0.054 4735 98 250 830 0.150 TO-268 Active Part
IXFT30N50Q3 500 30 0.200 3200 62 250 690 0.180 TO-268 Active Part
IXFT44N50Q3 500 44 0.140 4800 93 250 830 0.150 TO-268 Active Part
IXFT15N100Q3 1000 15 1.050 3250 64 250 690 0.180 TO-268 Active Part
IXFT18N100Q3 1000 18 0.660 4890 90 300 830 0.150 T0-268 Active Part
Part Number VDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Status
IXFH70N20Q3 200 70 0.040 3150 67 250 690 0.180 TO-247 Active Part
IXFH50N30Q3 300 50 0.080 3160 65 250 690 0.180 TO-247 Active Part
IXFH70N30Q3 300 70 0.054 4735 98 250 830 0.150 TO-247 Active Part
IXFH30N50Q3 500 30 0.200 3200 62 250 690 0.180 TO-247 Active Part
IXFH44N50Q3 500 44 0.140 4800 93 250 830 0.150 TO-247 Active Part
IXFH15N100Q3 1000 15 1.050 3250 64 250 690 0.180 TO-247 Active Part
IXFH18N100Q3 1000 18 0.660 4890 90 300 830 0.150 TO-247 Active Part
Part Number VDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Q3-HiPerFET-Power-MOSFET-3 Status
IXFX64N50Q3 500 64 0.085 6950 145 250 1000 0.125 PLUS247 Active Part
IXFX80N50Q3 500 80 0.065 10000 200 250 1250 0.100 PLUS247 Active Part
IXFX48N60Q3 600 48 0.140 7020 140 300 1000 0.125 PLUS247 Active Part
IXFX64N60Q3 600 64 0.095 9930 190 300 1250 0.100 PLUS247 Active Part
IXFX32N80Q3 800 32 0.270 6940 140 300 1000 0.125 PLUS247 Active Part
IXFX44N80Q3 800 44 0.190 10950 185 300 1250 0.100 PLUS247 Active Part
IXFX24N100Q3 1000 24 0.440 7200 140 300 1000 0.125 PLUS247 Active Part
IXFX32N100Q3 1000 32 0.320 10900 195 250 1250 0.100 PLUS247 Active Part
Part Number VDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Q3-HiPerFET-Power-MOSFET-4 Status
IXFR44N50Q3 500 25 0.154 4800 93 250 300 0.410 ISOPLUS247 Active Part
IXFR64N50Q3 500 45 0.094 6950 145 250 500 0.250 ISOPLUS247 Active Part
IXFR80N50Q3 500 50 0.072 10000 200 250 570 0.220 ISOPLUS247 Active Part
IXFR48N60Q3 600 32 0.154 7020 140 300 500 0.250 ISOPLUS247 Active Part
IXFR64N60Q3 600 42 0.104 9930 190 300 568 0.220 ISOPLUS247 Active Part
IXFR32N80Q3 800 24 0.300 6940 140 300 500 0.250 ISOPLUS247 Active Part
IXFR15N100Q3 1000 10 1.200 3250 64 250 400 0.310 ISOPLUS247 Active Part
IXFR24N100Q3 1000 18 0.490 7200 140 300 500 0.250 ISOPLUS247 Active Part
IXFR32N100Q3 1000 23 0.350 10900 195 300 570 0.220 ISOPLUS247 Active Part
Part Number VDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Q3-HiPerFET-Power-MOSFET-6 Status
IXFK64N50Q3 500 64 0.085 6950 145 250 1000 0.125 TO-264 Active Part
IXFK80N50Q3 500 80 0.065 10000 200 250 1250 0.100 TO-264 Active Part
IXFK48N60Q3 600 48 0.140 7020 140 300 1000 0.125 TO-264 Active Part
IXFK64N60Q3 600 64 0.095 9930 190 300 1250 0.100 TO-264 Active Part
IXFK32N80Q3 800 32 0.270 6940 140 300 1000 0.125 TO-264 Active Part
IXFK44N80Q3 800 44 0.190 10950 185 300 1250 0.100 TO-264 Active Part
IXFK24N100Q3 1000 24 0.440 7200 140 300 1000 0.125 TO-264 Active Part
IXFK32N100Q3 1000 32 0.320 10900 195 250 1250 0.100 TO-264 Active Part
Part Number VDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Q3-HiPerFET-Power-MOSFET-7 Status
IXFB100N50Q3 500 100 0.049 13800 255 250 1560 0.080 PLUS264 Active Part
IXFB82N60Q3 600 82 0.075 13500 275 300 1560 0.080 PLUS264 Active Part
IXFB62N80Q3 800 62 0.140 13600 270 300 1560 0.080 PLUS264 Active Part
IXFB44N100Q3 1000 44 0.220 13600 264 300 1560 0.080 PLUS264 Active Part
Part Number VDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Q3-HiPerFET-Power-MOSFET-8 Status
IXFN80N50Q3 500 63 0.065 10000 200 250 780 0.160 SOT-227 Active Part
IXFN100N50Q3 500 82 0.049 13800 255 250 960 0.130 SOT-227 Active Part
IXFN82N60Q3 600 66 0.075 13500 275 300 960 0.130 SOT-227 Active Part
IXFN44N80Q3 800 37 0.190 10950 185 300 780 0.160 SOT-227B Active Part
IXFN62N80Q3 800 49 0.140 13600 270 300 960 0.130 SOT-227B Active Part
IXFN32N100Q3 1000 28 0.320 10900 195 300 780 0.160 SOT-227 Active Part
IXFN44N100Q3 1000 38 0.220 13600 264 300 960 0.130 SOT-227 Active Part
IXFN40N110Q3 1100 35 0.260 14000 300 960 0.13 SOT227 Active Part

Области применения Q3 HiPerFET Power MOSFET:

  • DC/DC-преобразователи;
  • источники бесперебойного питания;
  • корректоры коэффициента мощности;
  • мощный электропривод;
  • индукционный нагрев;
  • электросварка;
  • плазменная резка;
  • мощные DC/AC инверторы;
  • LED-драйверы;
  • системы заряда батарей;
  • генераторы ВЧ-сигнала;
  • источники мощных импульсов.

За консультациями по применению силовой электроники в промышленных приложениях обращайтесь в департамент электронных компонентов компании VD MAIS – официального дистрибьютора продукции IXYS в Украине.