Массовое производство SiC-компонентов нового поколения
29.12.2016552

Компания Rohm Semiconductor заявила о начале серийного производства дискретных электронных компонентов нового поколения на основе карбидо-кремниевой технологии. 3-е поколение фирменных карбидокремниевых МОП-транзисторов, диодов Шоттки и SiC-модулей было представлено широкой публике на прошедшей в Мюнхене выставке electronica-2016. Сегодня все новинки уже доступны для заказа.

 

new-generation-rohm-discrete-components

 

Новые полевые транзисторы с технологией Trench имеют на 50 % пониженное сопротивление открытого состояния и на 35 % уменьшенную входную ёмкость. Серия МОП-транзисторов SCT3080KL на 1200 В выпускается в корпусе TO-247. Версии на 650 В в таком же корпусе имеют сопротивление открытого состояния от 17 до 120 мОм, версии на 1200 В – от 22 до 160 мОм. Rohm также предлагает версию МОП-транзистора автомобильного назначения, основанную на фирменной планарной серии 2-го поколения.

В новых транзисторах малые потери сочетаются с возможностью быстрого переключения. Это позволяет за счёт повышения частоты переключения сократить размеры периферийных компонентов, таких как катушки и конденсаторы. Также карбидокремниевые транзисторы способствуют повышению КПД преобразующих схем.

 

650V Part No 17mΩ 22mΩ 30mΩ 60mΩ 80mΩ 120mΩ
TO-247 SCT3xxxAL

 

1200V P/N Part No 22mΩ 30mΩ 40mΩ 80mΩ 160mΩ
TO-247 SCT3xxxAL

 

Карбидокремниевые диоды Шоттки 3-го поколения обладают малыми значениями прямого напряжения и обратного тока утечки в рабочем диапазоне температуры. Также данные компоненты имеют повышенную устойчивость к броскам тока, что актуально в схемах питания.

В дополнение к недавно анонсированным компонентам в корпусе TO220AC с рабочими характеристиками 650 В (6, 8 и 10 А), Rohm выпускает версии в корпусах D2PAK и TO220FM с меньшим током: 2 и 4 А. Карбидокремниевые диоды обладают коротким временем обратного восстановления в сравнении с кремниевыми вариантами. Данная особенность полезна в схемах с высокой скоростью переключения.

 

650V Part No 2A 4A 6A 8A 10A
TO-220ACP SCS3xxAP
D2PAK SCS3xxAJ
(LPTL)
TO-220FM SCS3xxAM

 

Также Rohm представила комбинированные SiC-модули для схем преобразователей, включающие как карбидокремниевые МОП-транзисторы, так и диоды.

 

Internal circuit BVDSS ID max Part No
2 in 1 (Half-Bridge) 1200V 80A BSM080D12P2C008
1200V 120A BSM120D12P2C005
1200V 180A BSM180D12P3C007
1200V 300A BSM300D12P2E001
Chopper 1200V 120A BSM120C12P2C201
1200V 180A BSM180C12P3C202
1200V 300A BSM300C12P3E201

 


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам новейших электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов Научно-производственной фирмы VD MAIS – профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.