FRAM для высоких температур

31.07.2020 |
31

Компания Fujitsu запускает в производство 4-мегабитную микросхему энергонезависимой памяти FRAM с гарантированной рабочей температурой до +125 °C.

FRAM для высоких температур

Микросхема MB85RS4MTY предназначена для использования в автомобильном и промышленном оборудовании, где требуется высокая надежность в условиях высоких рабочих температур.

MB85RS4MTY – энергонезависимая память FRAM (ferroelectric random access memory – сегнетоэлектрическое ОЗУ) с гарантированным числом циклов чтения/записи 10 триллионов и низким током активного режима в температурном диапазоне от –40 °C до +125 °C. Микросхема оптимальна для использования в промышленных роботах и автомобильных приложениях, таких, например, как современные системы помощи водителю.

Предшествующая модель микросхемы FRAM MB85RS2MTY емкостью 2 Мбит с момента ее выпуска в прошлом году была хорошо принята производителями автомобилей и промышленного оборудования. В новой микросхеме MB85RS4MTY удвоена плотность до 4 Мбит, добавлен интерфейс SPI, работающий в широком диапазоне напряжений питания от 1.8 до 3.6 В. Низкие рабочие токи этой FRAM, не превышающие 4 мА на частоте 50 МГц, и максимальный ток в режиме отключения 30 мкА способствуют снижению энергопотребления.

Новинка выпускается в стандартном 8-выводном корпусе SOP, что позволяет использовать ее вместо существующих микросхем EEPROM, имеющих аналогичное расположение выводов. Кроме того, заказчикам доступны версии в безвыводных 8-контактных корпусах DFN.

За консультациями по поставкам высококачественных электронных компонентов для различных применений обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS – профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.