Новые GaN HEMT до 2 ГГц

17.02.2018 |
105

Компания Wolfspeed, подразделение корпорации CREE, специализирующееся на силовой электронике, расширила семейство выпускаемых ВПЭ-транзисторов на основе нитрида галлия моделями на 50 В с минимальной выходной мощностью 180 Вт.

cghv40180-new-gan-hemt-1

Новый несогласованный транзистор с высокой подвижностью электронов (ВПЭ или High Electron Mobility Transistor, HEMT) создан для растущего рынка радарных систем сверхвысокочастотного диапазона. Устройство предназначено для использования в схемах военной и гражданской защищенной VHF-UHF радиосвязи, в радарных установка сверхдальнего радиуса действия, а также в широкополосных усилителях и некоторых медицинских приложениях.

Новый СВЧ транзистор CGHV40180 на нитриде галлия обладает более высокой удельной и выходной мощностью в сравнении с конкурирующими компонентами на основе кремниевой технологии LDMOS (на 67 % больше мощности незатухающих колебаний в сравнении с кремниевыми аналогами в корпусе такого же размера). При минимальной выходной мощности 180 Вт (CW) транзистор имеет типовую мощность насыщения 250 Вт, коэффициент усиления слабого сигнала – 20 дБ, усиление по мощности – 24 дБ (при 900 МГц).

cghv40180-new-gan-hemt-2

Транзистор выпускается в обычном исполнении CGHV40180P (в керамическом корпусе 440206) и в модификации с фланцами CGHV40180F (корпус 440223). Для знакомства с работой компонента производитель предлагает оценочную плату CGHV40180P(F)-AMP с демонстрационной схемой усилителя.

Температурный диапазон эксплуатации новинки – от -40 до +150  ̊C. Пайка компонента осуществляется при +245  ̊C. Что интересно, заявив о диапазоне новых HEMT до 2 ГГц, производитель в открытый доступ предоставил спецификации компонентов до 1000 МГц.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современных электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов компании VD MAIS – официального дистрибьютора продукции CREE в Украине.