Новые MOSFET 100 В с низким сопротивлением каналов

02.02.2018 |
35

Toshiba Electronics Europe начала поставки двух новых 100-вольтовых N-канальных MOSFET, дополняющих серию низковольтных компонентов U-MOS IX-H. Новые устройства идеально подходят для источников питания промышленного оборудования, а также для приложений управления двигателями.

new-mosfet-100vdc-for-psu

Изготовленные с использованием новейшего технологического процесса U-MOS IX-H компании Toshiba, оптимизирующего элементы транзисторных структур, MOSFET TPH3R70APL и TPN1200APL имеют самые низкие для своего класса приборов сопротивления открытых каналов, равные 3.7 мОм и 11.5 мОм, соответственно. Устройства отличаются низкими зарядами выхода (74/24 нК) и затвора (21/7.5 нК) и управляются логическими уровнями 4.5 В.

По сравнению с устройствами, выпускавшимися до настоящего времени по техпроцессу U-MOS VIII-H, новые транзисторы имеют наименьшие значения таких критериев качества переключающих MOSFET, как произведение сопротивления канала на выходной заряд и произведение сопротивления канала на заряд затвора.

TPH3R70APL выпускается в усовершенствованном корпусе SOP размером 5 × 6 мм и способен коммутировать токи до 90 А, в то время как TPN1200APL выпускается в корпусе TSON с размерами 3 × 3 мм и рассчитан на уровни токов до 40 А.

Следуя тенденциям рынка, Toshiba Electronics Europe продолжит расширять портфель MOSFET, повышающих эффективность источников питания.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современной компонентной базы для производства электронных приборов обращайтесь в отдел электронных компонентов фирмы VD MAIS – профессионального дистрибьютора электронных компонентов от ведущих мировых производителей для различных отраслей промышленности Украины.