Новая технология корпусирования дискретных IGBT
19.05.2017670

Немецкий концерн Infineon Technologies представил в мае новую технологию TRENCHSTOP™ Advanced Isolation для корпусирования дискретных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). Технология обеспечивает улучшение теплоотвода и, при этом, позволяет производителю уменьшить стоимость производства транзисторов.

new-trenchstop-insulation-igbt-2

На базе новой технологии разработаны две серии транзисторов TRENCHSTOP и  TRENCHSTOP Highspeed 3, нацеленных на замену полностью изолированных дискретных форм-факторов FullPAK, и стандартных корпусов TO-247 c пленочной изоляцией из теплопроводящих прокладок.  Целевые сегменты новых разработок – прежде всего схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) в системах кондиционерах воздуха, бесперебойные источники питания (UPS) и преобразователи мощности для электроприводов.

new-trenchstop-insulation-igbt-1

Широко распространенные дискретные корпуса, такие как FullPAKs или стандартные корпуса TO, используемые с изоляционным материалом для установки на радиатор, дороги и трудоемки при монтаже в процессе производства. Кроме того, они имеют ограничения по рассеиванию тепла, необходимого мощным IGBT последних поколений. Разработанные Infineon корпуса TRENCHSTOP Advanced Isolation с тем же посадочным размером, что и стандартные TO-247, – полностью изолированы и не требуют использования изоляционных пленок и теплопроводной пасты. Эффективный однородный тепловой канал соединяет кристалл транзистора и теплоотводящую поверхность, что обеспечивает новым корпусам хорошие показатели по рассеиванию тепла.

bez-imeni-5

Тепловое сопротивление (Rth) новых корпусов на 50% ниже, чем у TO-247 FullPak и на 35% – чем у стандартного TO-247 с изоляционной фольгой. Только за счет этого обеспечивается снижение температуры транзистора с идентичными параметрами, но в новом корпусе, на 10 °C. Соответственно, увеличивается надежность, меньше головной боли разработчикам и монтажникам. Увеличение КПД так же наблюдается, но имеет суто психологический эффект – 0,2% по сравнению со стандартным TO-247 с изоляцией. Зато заметной является экономия типового времени DIP-монтажа – не менее 35%, при заметном упрощении операций и создания условий для улучшения качества монтажа. Бонусом идет улучшение характеристик по электромагнитной совместимости новых транзисторов, что потенциально требует применения меньших EMI-фильтров в конечных устройствах.

new-trenchstop-insulation-igbt-4

Infineon Technologies анонсировал начало поставок транзисторов в корпусах TRENCHSTOP Advanced Isolation в третьем квартале 2017 года, инженерные образцы будут доступны для заказа уже в июле. Первоначально портфель будет включать IGBT на токи от 40 до 90 А в классе напряжения 600 В.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS – профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.