Новейшие ReRAM 8M (1024 K x 8 Bit) с SPI
29.08.2019118

Уже в сентябре стартует промышленное производство 8-мегабитных чипов энергонезависимой памяти ReRAM с самой высокой в мире плотностью элементов.

Новейшие ReRAM 8M (1024 K x 8 Bit) с SPI

Отличились японские корпорации Fujitsu Semiconductor и Panasonic Semiconductor, в тандеме работающие над развитием технологии резистивной память с произвольным доступом (RRAM, ReRAM, Resistive random-access memory).

Перспективная технология энергонезависимой памяти основана на изменении сопротивления диэлектрика под влиянием приложенных напряжений. ReRAM рассматривается как альтернатива EEPROM, с большей плотностью и менее энергоемкая. Родившись в качестве идеи в 1960-х, в 2000-х технология взята в разработку лидерами отрасли, но довольно долго оставалась на стадии лабораторных исследований – при кажущейся простоте переход от прототипов к промышленному производству бесконечно откладывался. Над проблемой работали сразу несколько консорциумов: Panasonic с Fujitsu, Crossbar, Sony и Micron (не так давно последняя вышла из этого проекта, т. к. переключилась на разработку вместе с Intel памяти 3D XPoint). Свои исследования ведут HP с Western Digital, 4DS, Adesto. Ряд разработчиков отдает предпочтение альтернативным технологиям. Так, GlobalFoundries, ToshibaSK Hynix, Micron и ряд других делают ставку на STT-MRAM. На эту память переключил свои силы и Samsung.

Решить технологические проблемы удалось к концу 2016-го. В 2017 году Panasonic и Fujitsu разместили производство 4-мегабитных чипов ReRAM по 40-нанометровой технологии на мощностях контрактного производителя UMC (United Microelectronics Corporation) в Тайване. В этом же году калифорнийская компания Crossbar разместила первые заказы на производство чипов ReRAM по 40 нм технологии на мощностях китайского производителя SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation).

О планах начать производство ReRAM в 2019 году заявила еще в начале года TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) – крупнейший в мире производитель полупроводниковых чипов. Заявлено, что встраиваемая eReRAM 28 нм будет выпускаться в составе контроллеров SoC. Неровно дышащая на любые телодвижения TSMC на рынке памяти, компания Intel заявила, что тоже включает встраиваемые ReRAM по 22-нанометровому техпроцессу в портфель на 2019 год.

И вот опять японцы! Fujitsu Semiconductor готова принимать заказы на новые чипы ReRAM уже с сентября этого года. Микросхема MB85AS8MT (была разработана совместно с Panasonic) будет поставляться в двух форм-факторах: в EEPROM-совместимом 8-выводном корпусе SOP и сверхкомпактном 11-контактном WL-CSP размером 2 × 3 мм для установки в носимые устройства.

Новейшие ReRAM 8M (1024 K x 8 Bit) с SPI

MB85AS8MT имеет интерфейс SPI и может работать в широком диапазоне напряжений питания от 1.6 В до 3.6 В. Одной из основных особенностей ReRAM является чрезвычайно малый потребляемый ток для операций чтения, например, для MB85AS8MT он равен 0.15 мА при рабочей частоте 5 МГц, что составляет лишь 5% от потребления EEPROM большой плотности. Это минимизирует расход тока батареи при использовании в приложениях с автономным питанием и частыми операциями чтения данных.

Максимальная частота составляет 10 МГц, время цикла парезаписи – 10 мс, гарантированное производителем количество циклов перезаписи – 1 млн. Количество циклов чтения не лимитировано. Гарантированное время хранения данных составляет 10 лет (при 85°C)

Память с самым низким в отрасли током, потребляемым в режиме чтения, оптимальна для миниатюрных носимых устройств с батарейным питанием, таких как слуховые аппараты, умные часы, очки и прочие браслеты.

Fujitsu Semiconductor известна широким портфолио сегнетоэлектрических ОЗУ (FRAM), обеспечивающих большее количество циклов записи и более высокие скорости записи по сравнению с EEPROM и флэш-памятью. FRAM продукты Fujitsu приобретают все более широкую известность как оптимальная энергонезависимая память для очень частой регистрации данных и для защиты данных от внезапных отключений питания. Между тем, некоторым потребителям требуется память, потребляющая меньше тока при операциях чтения, поскольку для их приложений характерны редкая запись данных и очень частое чтение.

Чтобы удовлетворить такие потребности, и была разработана новая энергонезависимая память ReRAM с двумя функциями: «большая плотность, обеспечивающая побайтовый доступ» и «малый ток чтения». В приложениях с батарейным питанием, выполняющих частое чтение данных, например, для загрузки определенной программы или извлечения параметров настройки, новая память обеспечивает минимальный расход энергии батарей.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам высококачественных электронных компонентов для различных применений обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS – профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.

Спецификации