Новый МОП-транзистор на 1200 В
26.04.20171 176

Компания Wolfspeed, подразделение корпорации CREE, представила новый MOSFET с лучшими в классе характеристиками в мире. Компонент представляет 3-е поколение проприетарной технологической платформы изготовления полевых транзисторов на базе нитрид-галлиевых гетероструктур на субстрате из карбида кремния.

Рабочее напряжение транзистора C3M0075120K составляет 1200 В при сопротивлении 75 мОм.

new-1200v-wolfspeed-mosfetНовинка выпускается в 4-выводном корпусе TO-247-4 с отдельным выводом истока. Между выводами стока и истока предусмотрен защитный зазор 8 мм. В транзистор встроен быстрый диод с низким обратным зарядом восстановления.

Сфера применения транзистора включает системы альтернативной энергетики на возобновляемых источниках энергии, оборудование зарядки электромобилей, высоковольтные схемы преобразования постоянного тока, импульсные блоки питания, а также системы промышленной автоматизации, где требуется увеличить частоту при сохранении уровня производительности.

Среди основных характеристик C3M0075120K стоит выделить следующие: напряжение сток-исток 1200 В, непрерывный ток стока 30,8 А, Rds(on) = 75 мОм, суммарный заряд затвора 51 нКл, максимальная температура перехода 150 °C, выходная ёмкость 58 пФ, обратный заряд восстановления 220 нКл, время обратного восстановления 18 нс.

Новый компонент призван упростить многие высоковольтные схемные решения, повысить уровень частоты при сохранении высокой эффективности, уменьшить затраты, снизить уровень электромагнитного влияния. Производитель уверенно говорит о возможности достижения КПД в 99% в схемах коррекции коэффициента мощности преобразователей питания.

«Нас, несомненно, вдохновляют характеристики новых продуктов, созданных на новой технологической карбидо-кремниевой платформе», – делится Курт Гёпфрих (Kurt Goepfrich), ведущий схемотехник компании Siemens. «Возможности новых компонентов, такие, как, например, форм-фактор 7L D2PAK для SMD-монтажа, позволят нам воплотить новые схемные топологии, ныне невозможные при существующих на рынке продуктах».

Характеристики нового транзистора делают его безоговорочно лучшим в своем классе. Компания Wolfspeed уже начала производить компонент в корпусе 4L TO-247 и обещает появление транзистора в форм-факторе 7L D2PAK уже в ближайшие недели (релиз вышел в первой декаде апреля).

«Транзисторы на основе карбидо-кремниевой технологии показали свою эффективность во многих высоковольтных приложениях», – поясняет Джон Палмор (John Palmour), технический директор Wolfspeed. «В случаях двунаправленной передачи мощности, как, например, в подключенных к сетям инверторах [альтернативной электрогенерации] потенциал экономии с применением новых компонентов значительно возрастает за счет снижения размеров входных фильтров».

3-е поколение планарной MOSFET технологии уже сегодня адаптируется разработчиками ведущих компаний для автомобильных и промышленных приложений. Низкое входное напряжение в сочетании с низким зарядом стока делает новые транзисторы идеальным решением для трехфазных безмостовых топологий коррекции коэффициента мощности, равно как и для AC-AC преобразователей и зарядных устройств.

ВЧ характеристики нового транзистора в форм-факторе 4L TO-247 позволяют разработчикам достигать троекратного снижения потерь по сравнению с традиционными полевиками в TO-247-3 корпусе. Новинка в 7L D2PAK исполнении, специально разработанная для высоковольтных приложений, практически нивелирует влияние индуктивности источника и, при этом, на 52% меньше по площади компонентов в корпусе D3PAK.

Транзисторы в 4-выводном корпусе 4L TO247 уже доступны для заказа через нескольких дистрибьюторов под серийным номером C3M0075120K. SMD-версия в корпусе 7L D2PAK с наименованием C3M0075120J уже вот-вот появится на рынке. Ждем-с.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по применению современных электронных компонентов обращайтесь в отдел электронных компонентов компании VD MAIS – официального дистрибьютора продукции CREE в Украине.