Сдвоенный MOSFET для драйверов автомобильных фар
20.02.2019104

Корпорация Toshiba начала выпуск нового сдвоенного металл-оксидного полевого транзистора с высоким уровнем защиты от электростатических разрядов.

Сдвоенный MOSFET для драйверов автомобильных фар

Целевое назначение транзистора SSM6N813 – схемы драйверов светодиодных фар автомобилей и других транспортных средств.

Высокая устойчивость нового полевика к электростатическим разрядам и равное 100 В максимальное напряжение сток-исток гарантируют надежность работы SSM6N813R в приложениях управления автомобильными фарами, требующих нескольких светодиодов. Транзисторы, изготавливаемые с использованием новейшего технологического процесса U-MOSVIII-H, рассеивают мощность 1.5 Вт и обеспечивают высокую эффективность благодаря низкому сопротивлению открытого канала, составляющему всего 112 мОм. Устройства могут работать при токах стока до 3.5 А.

Сдвоенные MOSFET поставляются в миниатюрных корпусах TSOP6F с размерами 2.9 × 2.8 × 0.8 мм – такими же, как у корпуса SOT23, – занимая на плате площадь на 70% меньшую, чем корпус SOP8. Транзистор SSM6N813 уже запущен в массовое производство.


vd-mais-professional-distributorЗа консультациями по поставкам новейших компонентов и систем обращайтесь в отдел электронных компонентов научно-производственной фирмы VD MAIS – официального дистрибьютора и профессионального поставщика инновационных решений для высокотехнологичных отраслей промышленности Украины.

Перейти в каталог товаров

Спецификации