Первый MOSFET на 1000 В

29.10.2016 |
18

Компания Wolfspeed, подразделение корпорации CREE, выпустила новый МОП транзистор на основе карбида кремния со значением пробивного напряжения 1000 В и сопротивлением открытого канала 65 мОм. Первый в отрасли MOSFET на 1000 В характеризуется высокой плотностью мощности и экономически более выгоден, по сравнению с предшественниками.

Транзистор C3M0065100K выпускается в оптимизированном четырехвыводном корпусе TO-247-4 с отдельным контактом управления истоком. Данный корпус обеспечивает низкие потери при переключении и минимизацию колебательных процессов на затворе благодаря кельвиновскому (четырехпроводному) соединению. В корпусе предусмотрена специальная выемка между выводами стока и истока, благодаря чему увеличивается длина пути тока утечки.

Творцы нового МОП транзистора C3M0065100K утверждают, что при увеличившейся на 300% плотности мощности и на 33% выходной мощности, новый компонент более выгоден экономически, прежде всего, за счет сокращения общего количества компонентов, применяемых в различных приложениях.

В основе очередного прорыва разработчиков из Wolfspeed лежит приверженность карбид-кремниевой технологии – конек материнской корпорации CREE.

Технические характеристики C3M0065100K:

  • напряжение пробоя: 1000 В
  • номинальный ток (при 100°C): 22,5 A
  • Rds(On): 65 мОм
  • тип корпуса: TO-247-4
  • суммарные потери энергии при переключении: 0,23 мДж
  • суммарный заряд затвора: 35 нКл
  • максимальная температура перехода: 150°C

Области применения C3M0065100K:

  • возобновляемые источники энергии
  • зарядные устройства электромобилей
  • высоковольтные DC/DC преобразователи
  • источники питания

В настоящее время SiC-МОП транзисторы C3M0065100K выпускаются серийно.

  Спецификация МОП-транзисторов C3M0065100K

 

 

За консультациями по применению современных компонентов в системах светодиодного освещения обращайтесь в департамент электронных компонентов компании VD MAIS – официального дистрибьютора продукции CREE в Украине.