Электронная бомба против электронного оружия.

Как известно, ядерное оружие обладает большой разрушительной силой. Кроме того, к поражающим факторам этого оружия относится радиоактивное излучение и мощный электромагнитный импульс, способный вывести из строя электронное и электротехническое оборудование. В связи с запретом на распространение и использование ядерного оружия ученые сосредоточили усилия на создании новых электронных бомб (e-bomb), обладающих только одним из трех поражающих факторов ядерного оружия. Этим фактором является мощный электромагнитный импульс. Электронные бомбы генерируют единичные 100-наносекундные импульсы мощностью от сотен мегаватт до единиц гигаватт. Импульсы такой мощности мгновенно разрушают электронные устройства, оставляя противника без средств телекоммуникации, радаров и сонаров, транспортных средств с электронным управлением и т. п. Из строя выходят телецентры, радиостанции, электростанции и другие начиненные электроникой объекты. При этом такое излучение может не оказывать никакого явного влияния на состояние людей, жилых помещений, промышленных зданий и т. п.

Электронная бомба содержит конденсаторную батарею и двухступенчатый генератор на основе сжатия магнитного потока, обеспечивающие мощность импульсов до 10 ГВт. Специальный генератор формирует импульсы высокой мощности частотой 5 ГГц, которые выводят из строя электронную аппаратуру в радиусе более 500 м.

Таким образом, обладатель такого электронного оружия, как системы наведения, приборы ночного видения, БТЗ, танки с электронным зажиганием и т. д., становится заложником максимальной электронизации своей техники, которая может отказать, как только противник применит электронную бомбу.

“Умные” вирусы собирают нанотранзисторы.

Полгода назад руководитель лаборатории Массачусетского технологического института Angela Belcher сделала сообщение о том, что в ближайшее время в ее лаборатории с помощью генной инженерии будут созданы специальные вирусы с оболочкой из полупроводникового материала, например, сульфида цинка ZnS. Такой вирус предназначен для соединения двух электродов (стока и истока), расположенных на подложке, как это показано на рисунке. Сам процесс, получивший название “направленная эволюция”(directed evolution), заключается в конструировании вируса с оболочкой из полупроводникового материала, запуска программы размножения этого вируса, после чего искусственно созданные вирусы автоматически соединяются с золотыми электродами, образуя канал полевого транзистора. На конечной стадии этого процесса происходит выпаривание вируса, в результате чего на подложке остается только его оболочка из полупроводникового материала. Созданный таким образом кристалл имеет размеры 850×7 нм, а сам полупроводниковый канал имеет ширину не более 2-3 нм. Angela Belcher разработала технологию объединения полученных с помощью генной инженерии нанотранзисторов в многослойные матрицы, на основе которых может быть создана, например, Flash-память объемом до 30 Гбайт, причем размеры этой памяти будут не более 1 см².