Особливості корпусів багатокристальних модулів

На сьогодні стандартні корпуси інтеграль­них мікросхем вже не задовольняють роз­робників кристалів. Поява багатокристальних мікросхем, мікросхем НВЧ, оптичних мікро­схем викликало появу нових конструктивних рішень. Один з таких напрямків розглядається у цій статті.

М. Мота

Сучасна мікроелектронна промисловість знахо­диться на переломній точці, де перетин розмірів кристалів та системної складності дає можливість переосмислити та вдосконалити архітектуру напів­провідникових чіпів, щоб відповідати вимогам сьо­годення та найближчого майбутнього. З одного боку, кристали або чіпи стають дедалі складнішими, що обумовлено потребами з інтенсивних обчис­лень, які виникають у високопродуктивних супер­комп’ютерах (high-performance computers – HPC) та системах з штучним інтелектом. У той же час роз­робники ІМС прагнуть забезпечити оптимальні по­тужність, продуктивність, площу кристалів з міні­мальним затримками. У цьому нові технології корпу­сів ІМС відіграють важливу роль. Конструкція IMC, що містить декілька кристалів, виявилася на сьо­годні гідним варіантом для досягнення поставлених цілей. Багатокристальна система в одному корпусі (system-in-package – SiP) забезпечує ряд наступних переваг:

  • створення IMC з більшою функціональністю
  • швидке створення кількох простих кристалів замість одного досить складного
  • зменшення проєктного ризику при викори­станні вже перевірених на практиці кристалів
  • зменшення потужності системи зі збільшенням пропускної здатності порівняно з використанням двох окремих мікросхем в окремих корпусах
  • оптимальні розміри складної системи з ниж­чоювартістю
  • підвищена продуктивність системи завдяки низькій затримці в порівнянні з використанням двох або кількох окремих мікросхем.

Сучасні технологічні можливості мають декілька варіантів для підтримки проектних рішень із кілько­ма кристалами, починаючи від стандартних 2D кор­пусів до розширених 2.5D і складних 3D корпусів. Насправді немає єдиного корпусу, який би був опти­мальним для всіх типів нових ІМС з різними функція­ми та призначенням. Вибір, як правило, ґрунтується на цілях проєкту, а також витратах на розробку. У цій статті автором аналізується декілька найновіших ти­пів корпусів багато кристальних ІМС або модулів з урахуванням технології, яка підтримує процес про- єктування кінцевого виробу на базі цих корпусів.

Чотири основні вдосконалені типи корпусів мікросхем. Сучасний напрямок у системному про- єктуванні являє собою створення у нових корпусах багатокристальних модулів на основі невеликих чі- пів. Це, по суті, невеликі чіпи, які спеціально розроб­лені для об’єднання у великі і складні ІМС. Такі мік­росхеми містять функціональні схемні вузли, які на­зиваються малими кристалами або чіплетами, і ін­тегровані багатокристальні модулі. Типи корпусів розрізняються за щільністю та складністю.

На рис. 1 показано основні типи корпусів, а також розглянуті їхні переваги та недоліки для різних за­стосувань.

Рис. 1. Чотири типи корпусів для багатокристальних ІМС

Корпус з органічною підкладкою. Ці багатокристальні ІМС мають найменшу кількість можливих з’єднань. Вони являють собою двомірний стандарт­ний корпус, є відносно недорогими і мають на сьо­годні широке використання. Ці модулі підтримують функції тестування з недорогим скринінгом рівня пластини для завідомо справного кристала, але функції тестування та ремонту несправних з’єднань у цих ІМС, як правило, відсутні. Органічні підкладки також відзначаються хорошим розсіюванням тепла, низьким викривленням і можливістю великої інтег­рації кристалів без суттєвих технологічних обме­жень.

Корпус з кріпленням кристалів компаундом з перерозподілом шарів – RDL Fan Out. Ця кон­струкція корпусу не набула широкого поширення, відносно нові корпуси типу RDL fan-out забезпе­чують щільність, подібну до щільності багатокри- стальних ІМС з вбудованими BGA виводами, але мають меншу складністю та меншу вартість. Це вдосконалений тип корпусу, який об’єднує кілька кристалів, що забезпечує кращу продуктивність і більше операцій вводу-виводу для різноманітних IoT, мережевих і обчислювальних застосувань. У цьому корпусі з’єднувальні провідники можуть бути направлені всередину та назовні. Це дозволяє ство­рювати тонкі корпуси з великою кількістю операцій вводу-виводу.

Багатокристальний модуль з проміжним кремнієвим кристалом з BGA виводами. У крем­нієвому проміжному модулі міститься з’єднуваль­ний кристал, який називається інтерпозером. Цей тип корпусу 2.5D забезпечує щільне з’єднання за допомогою спеціальних мікровиступів – технології вертикального з’єднання для складених кристалів. Через складну збірку цього типу корпусів, а також через вплив технологічних мікронерівностей існує проблема з забезпеченням необхідної продуктив­ності.

Постачальники корпусів вирішують це за допо­могою заходів із забезпечення якості, а також меха­нізмів тестування та ремонту в міжкристальному ін­терфейсі. Кремнієві інтерпозери можуть мати тисячі паралельних ліній зв’язку, і ці лінії розроблені з мож­ливістю перевірки надійного підключення, визна­чення наявності розриву та перенаправлення зв’яз­ку за потреби.

Наприклад, якщо інтерфейс має 1000 ліній зв’яз­ку, є можливість закласти у з’єднувальний кристал таких ліній на 10% більше, наприклад, 1100, забез­печуючи надлишковість для перемаршрутизації сигналів у разі виникнення відмов. Однак із крем­нієвими проміжними елементами у такому корпусі важко екранувати окремі кристали. Крім того, цей тип корпусу має знижене у порівнянні з іншими кор­пусами розсіювання тепла.

Корпус з гібридним з’єднанням. Тип триви­мірного корпусу який забезпечує найвищу щільність разом із високою енергоефективністю. В ньому іс­нують наскрізні кремнієві переходи для підключен- ня. Завдяки двом кристалам, з’єднаним разом і пра­цюючим як одне ціле, немає необхідності витрати енергії під час керування каналами, а потужність кожного каналу вводу-виводу можна зменшити за потреби. Порівняно з інтерпозерами, корпус з гіб­ридним з’єднанням зараз представляє більшу складність і вартість. Він ідеально підходить для та­ких застосувань, як системи з штучним інтелектом, які потребують значних можливостей обробки даних разом із малою затримкою сигналів. Розташування пам’яті над процесором у такому корпусі забезпе­чує необхідну продуктивність і мінімально можливу затримку.

У минулому розробники спочатку проєктували свою систему на кристалі (SoC), а потім займалися розробкою корпусу. Сьогодні – це вже застарілий підхід. Проєкт сучасної системи на кристалі (SiP) по­лягає в одночасному об’єднанні усіх складових, а саме системи як структури, архітектури і принципо­вої схеми, відповідних кристалів для реалізації си­стеми та оптимальної конструкції корпусу. Деякі елементи такого підходу розглянемо далі.

Інтерфейс dietodie або міжкристальний ін­терфейс багатокристального модуля. Це неве­ликий вузол, який забезпечує зв’язок між двома або більше кристалами, розташованими в одному кор­пусі. Інтерфейс потрібно розробляти для кожного конкретного типу корпуса.

Наприклад, проміжний інтерфейсний вузол або інтерпозер не призначений для підтримки високих швидкостей обміну даними між кристалами, а висо- кошвидкісний IP-інтерфейс між кристалами підтри­мує високу швидкість передачі даних. Подібним чи­ном характеристики каналів передачі даних є кра­щими в корпусах з органічною підкладкою.

Індустрія міжкристальних інтерфейсів (die-to- die) відносно молода, багато розроблених інтер­фейсів запатентовано, що обмежує їх використання іншими розробниками. Тому використання стан­дартних IP-інтерфейсів є більш привабливим для використання у нових розробках. Чотири різних об’єднання підтримують п’ять системних стандартів для сучасних корпусів ІМС:

  • ИСО-OIFвідповідає за стандарт XSRзі швидкі­стю передачі даних 112Гб/224Гб для корпусів 2D, призначених для оптичних мереж

CHIPS ALLIANCE відповідає за стандарт AIB, який підтримує швидкість передачі даних 6G для пе­ремикання кристалів у корпусі, зазвичай призначе­них для на систем mil-aero

  • UniversalChipletInterconnectExpressвизначає вимоги до корпусів 2D, 2.5Dбагатокристальних мо­дулів з швидкістю передачі даних 16Гб/32Гб.
  • OpenComputeвідповідає за стандарти BOWі OHBI, обидва визначені для корпусів Dі 2.5Dз швид­кістю передачі даних 8Гб/16Гб.

З часом деякі з цих стандартів можуть стати менш актуальними на основі потреб ринку. На думку автора, стандарт Universal Chiplet (UCIe) має можли­вість у майбутньому стати універсальним для інтер­фейсів die-to-die. Підтримуючи необхідні параметри щодо обміну даними, він охоплює найбільш широ­кий спектр використання, а також усі типи сучасних корпусів для багатокристальних системних про- єктів. Завдяки підтримці швидкості передачі даних до 32 Гбіт/с на один контакт стандарт UCIe також придатний до використаннях і у майбутніх корпусах.

ВИСНОВКИ

Корпуси ІМС з багатьма кристалами на сьогодні забезпечують проєкти з інтенсивних обчислень для суперкомп’ютерів і систем з штучним інтелектом та підтримують високу продуктивність практично без підвищення вартості системи. Інновації в техноло­гіях корпусів багатокристальних модулів, а також нові інтерфейси, що базуються на діючих стандар­тах, дають змогу корпусам із кількома кристалами надійно працювати у високопродуктивних обчислю­вальних системах. Передові технології корпусів ІМС є лише одним із прикладів безперервних інновацій в мікроелектронній галузі, викликаних зростаючою складністю сучасних систем.

Останні новини

Надтонкі джерела живлення MEAN WELL серії XDR потужністю до 960 Вт
Brands

Надтонкі джерела живлення MEAN WELL серії XDR потужністю до 960 Вт

ПЛК MEAN WELL PLC-DPLC-32MT/ET для промислової автоматизації
Brands

ПЛК MEAN WELL PLC-DPLC-32MT/ET для промислової автоматизації

Двонаправлені перетворювачі MEAN WELL BIC-5K 5 кВт
Brands

Двонаправлені перетворювачі MEAN WELL BIC-5K 5 кВт

Інтелектуальні системи живлення 1–18 кВт на базі AC/DC-перетворювачів MEAN WELL серії RCP
Brands

Інтелектуальні системи живлення 1–18 кВт на базі AC/DC-перетворювачів MEAN WELL серії RCP

VD MAIS стає членом Global Electronics Association
VD MAIS

VD MAIS стає членом Global Electronics Association

Mean Well SHP — промислові джерела живлення великої потужності (10–30 кВт)
Brands

Mean Well SHP — промислові джерела живлення великої потужності (10–30 кВт)