На допомогу розробнику: каталог силових компонентів

Англійська компанія Dynex Semiconductors випустила новий каталог силових напівпровідникових компонентів.

Компанія Dynex Semiconductors була заснована в провінційному Лінкольні ще на зорі напівпровідникової ери, в 1956 році. Бурхлива історія і низка злиттів і поглинань дозволили невеликому, по суті, підприємству, акумулювати технології таких прославлених брендів, як AEI, General Electric, Marconi, GEC, Siemens, Edison, Alstom тощо. Завдяки цьому до початку XXI століття Dynex стає глобальним центром експертизи в галузі силової електроніки, співзасновником Національного Інституту мікроелектроніки при Університеті графства Суррей (Великий Лондон) і дослідницьких центрів при університетах в Даремі і Уоріку.

Продукція Dynex отримала “прописку” у багатьох знакових проектах в аерокосмічній, енергетичній, залізничній та автомобільній галузях. Дуже сильні позиції Dynex в сегменті електроніки для залізниці привели до придбання її акцій (процес тривав з 2008 по 2018 рік) головним клієнтом – підрозділом китайської корпорації CRRC. Під крилом найбільшого в світі виробника залізничних локомотивів і рухомого складу (359 місце в Fortune Global 500 і мало не півтора мільярда євро на рік інвестицій в R&D) компанія з англійської глибинки міцно утримує лідерство в світовій галузі силових напівпровідникових приладів.

У новий каталог увійшли стандартні вироби Dynex Semiconductor:

• IGBT у вигляді кристалів і модулів, в т.ч. в корпусі Press-pack. Лінійка стандартних IGBT-модулів включає пристрої на напруги до 1200, 1700, 3300, 4500 і 6500 В і максимальні струми, відповідно, до 2400, 2400, 1800, 1500 і 1000 А. Замовники мають вибір з приладів, вироблених на базі пропрієтарних технологій Dynex Non Punch Through (DNPT) і Dynex Soft Punch Through (DSPT) і сучасної Trench Soft Punch Through (TSPT).
• фазоконтролюючих тиристорів, з робочими напругами від 1400 до 8500 В і струмами від 370 до 7610 А
• випрямних діодів (1400-9000 В, до 8880 А)
• тиристорів, що замикаються по затвору (1300-4500 В, до 1180 А)
• імпульсних тиристорів (3300 і 4500 В, до 1670 А)
• діодів з швидким відновленням (1400-6500 В, до 3200 А), в т.ч. у вигляді FRD-модулів (1200-6500 В, до 1200 А)
• асиметричних шунтуючих тиристорів на пряму напругу 1000 В і зворотні 3300 і 4500 В і струми до 3200 і 2900 А для захисту IGBT в багаторівневих перетворювачах напруги